经面向江门市企事业单位、高等院校、科研院所、重大平台载体等广泛征集可供产业工程师、博士博士后人才及团队揭榜挑战的技术需求及人才需求，江门市人力资源和社会保障局形成2022年江门市产业工程师暨博士博士后揭榜创新赛技术攻关榜单。榜单项目领域涵盖先进制造与自动化（3个）、新一代信息技术（3个）、新材料（6个）、现代农业与食品（2个）、生物医药与大健康（1个），研发经费总额超1亿元。
本次揭榜创新赛参赛对象为榜单项目的技术供给方，不限国籍、户籍、地域，须符合下列条件之一：（一）在产品的设计、研发、生产制造、技术升级、运输、维修等工程技术领域中从事技术工程或技能操作的人员；（二）具有专业技术职业（执业）资格或职称专业技术人才、高技能人才等；（三）取得博士学位的人员（包括在站或已出站的博士后科研人员）或博士学位在读研究生。
参赛方案须同时符合下列条件：（一）能针对企事业单位、高等院校、科研院所、重大平台载体等的技术难题提出明确解决方案，要求思路清晰、技术路线可行、数据真实；（二）有明确的预期目标及相应的技术指标，有可靠的项目完成年限及进度安排等；（三）具有合法自主的知识产权，无任何知识产权纠纷；（四）参赛者为多人组团进行联合攻关，团队内部有较为明确的合作机制。
大赛设置了丰富的奖项和多项政策支持，包括：（一）“金点子奖”不少于3个，每个奖金不少于5000元；（二）符合条件的获奖项目优先推荐申报江门市博士后创新实践课题，给予1-2万元课题资助；（三）符合条件的获奖项目团队更可享受江门市最高300万元的人才政策扶持措施。
基于CCL基材上利用高精尖的设备和进阶的制程技术HDI、高速机钻、镭射钻孔、精密电镀/化学镀沉积、与LDI黄光显影、多层压合等技术，将其表面作金属化制作成多层封装线路基板的开发
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研究进水阀生产过程中虚焊、断线问题的新工艺，提高进水阀电磁性能、改善散热以及稳定流量。开发一款高效率、流量稳定的进水阀产品以及产品自动化生产线。
1.进水阀线g以下，同时满足低压启动、温升要求。即空载连续运行温升小于115K,1Mpa水压下0.85倍额定电压能正常进水。
2.进水阀线圈部分实现自动化生产，线体需完成绕线、焊接、装导磁套、装磁轭、电检工序，每条线个以上，一人可操作三条线.密封塞、推杆、塑料先导阀、橡胶先导阀、弹簧实现自动化装配，装配效率一小时在450个以上。
4.提高洗衣机进水阀不同水压下流量的稳定性，在1.5-5Bar水压下流量控制在8±5%LPM，5-10Bar水压下流量控制在8±10%LPM。
5.提高洗碗机进水阀不同水压下流量的稳定性，在1-10Bar水压下，流量控制在2.5±10%LPM。
：现阶段遇到手工锯磨削工艺中锯齿角度与砂轮的变量问题，需要专家计算两者的函数关系公式最终嵌入数控装置达到各NC轴自动变量，减少调机时间和调机出错率提升良品率和生产效率。
：目前，RFID技术是成熟的技术，广泛应用于电子设备间的非接触式的数据读写，以实现数据交换，具有方便易行，高效可靠的目的。目前国内由于该方面起步较晚，对于高要求的场合，只能采用国外的技术和产品。
内容：本公司是生产智能卡的打印设备厂商，应用RFID技术对智能卡或RFID标签进行读写，由于卡片和RFID标签的多样性，读写器上的一个天线很难对所有的RFID实现很好的匹配，经常造成读写不进去，或者相邻的卡片/标签重复读写等情况。解决的办法就是要设计一个机制或硬件，在目前的RFID平台上实现创新，避免这种情况的发生。从而大大提高打印机的可靠性，实现零错误，降低客户的使用成本和时间，向高效和节能社会迈进。
研发一种带有嵌入式FPGA的多种智能控制程序即打印机产品核心控制高端芯片（软件的载体——CPU及门阵列（FPGA））。
：整合MCU及多种控制电路的掩膜大规模集成电路，融入针式打印机、热敏票据打印机、智能卡打印机产业所需的优化元素，将控制芯片进行集成创新。
1．整合新一代的FPGA技术，包括IO口达到204个，内置400CPS、500CPS打印速度的步进电机及打印头控制模式，及多种条码处理程序。
2．应用OS实时操作系统，具备多任务操作，对打印任务的数据处理、各机构配合动作的调配起到高效执行的作用，极大提升了处理效率，相较于上一代芯片：
(7)串行（UART）从3路提升为10路，其中2路UART支持ISO7816主机模式；
（三）基于CCL基材上利用高精尖的设备和进阶的制程技术HDI、高速机钻、镭射钻孔、精密电镀/化学镀沉积、与LDI黄光显影、多层压合等技术，将其表面作金属化制作成多层封装线路基板的开发需求内容
本公司所导入相关新产品的三大类别Mini/Micro封装载板、半导体封装载板、无机材封装载板的产品。此三类产品对于制造工厂人机料法环的要求更高，需要巨额的资金投入、更高端的生产管控机制、研发人才、设备来达成高良率、高品质的基板。Mini/Micro-LED封装载板：目前市场主力LED-Mini的高TG的BT双面板。但未来主力Mini/Micro-LED为多层板、线um以下、微细小孔的激光加工。技术难点在于更高端LDI加工的更细的线宽线距、多层板的BT薄板压合技术、激光钻孔0.05mm以下的通孔及盲埋孔的精密电镀填孔技术、线路层的镀铜一致性的高度要求、线路甚至需要引进m-SAP图形电镀的制程、共晶制程的需求更需要导入高端的锡金表面处理制程。新的Mini/Micro更需基于IC载板的制程技术，进而达到线路与焊盘的极小化的要求。半导体封装载板（IC载板）：更轻、体积更小，且质量稳定度及讯息通路均优。IC载板是一种沟通芯片与电路板的中间产品，可由其内部电路连接芯片与电路板，为IC封装制程的关键零组件。根据日益缩小的IC 半导体芯片，极细化线路的基板也相对应增高，以BGA为基础，将密集的IC线路分散开(fan out)，应用于IC封裝，进而保护脆弱的IC芯片不受外力的破坏与环境中的湿气、酸气影响，延长IC芯片使用寿命。其领域则分为高中低三个阶层，其技术难点在于基于CCL基材上利用高精尖的设备和进阶的制程技术HDI、高速机钻、镭射钻孔、精密电镀/化学镀沉积、与LDI黄光显影、多层压合等技术，将其表面作金属化制作成多层封装线路基板。 BGA为基础的技术门槛，进而往PBGA、EBGA、FCCSP、FCBGA到SLP的高端载板。对于30/30以下的线宽线距的制程能力要求更高。无机材封装载板（陶瓷基板）：硅、陶瓷基板具有高导热、高耐温、尺寸小，厚度薄、寿命长、可抗腐蚀、物理特性稳定等特色，结合了薄膜制程使产品线路附着性佳、表面平整度高、及对位精准等优点，可广泛应用各类功率型产品。薄膜制程的低温制程(400℃)，亦可避免高温材料的破坏或是尺寸变异问题产生。甚至做到无机封装的应用要求。 DBC制程更可应用在800℃以上的封装应用。陶瓷基板更为第三类半导体的基础封装基板。其不同基材的应用分类为氧化铝(Al2O3)基板、氮化铝(AlN)基板、氧化硅(SiC)基板、氮化硅(SiN)基板、玻璃(Glass)基板、氮化镓(GaN)功率基板其技术难点在于基于陶瓷/硅基材上利用薄膜制程的真空镀膜DPC、电镀/化学镀沉积、与黄光显影等技术，将其表面作金属化制作成线路，甚至以SAP的电镀叠加铜的制程建成围坝的结构。基于多层Mini/Micro LED载板的产品要求，必须从IC载板的基础技术开始做起，建立细微线路的研发设计、多层板制程技术、品质管控和高端制造的管理手段。按此过程也同时能生产初阶的IC封装载板的产品。而陶瓷基板的应用在于中高功率电子元器件的封装载板。从初阶双面基板启始，未来也将会走向多层细微线路的陶瓷封装基板需求。
1.镀银材料的选取。银浆的选取对电极的导电性和电极与管壁吸附力有直接影响。根据制备时烧结温度的不同，就要选取合适的导电银浆。
2.外电极电路设计。既要保证有连续的导电通道，又要保证电极覆盖面尽量小，否则会影响透光性。3.内外银电极的制备工艺。要保证分子灯的高稳定性，银电极与管壁之间的吸附力要足够强，电极各处也要足够均匀。需要特定设备代替人工，从而使电极均匀涂敷。
4.应力和微观结构表征。重点研究银电极与管壁之间的作用力、结合方式，以及银在电极界面处的存在形态和相关物理化学性质，包括成分、晶态、含量、微观形貌、耐酸碱度、粘附力、电导率等，分析电极吸附力强度和吸附方式。
2、附着力：在经过烘烤后的PET在石英管上用透明胶带粘贴在表面，垂直下拉3次以上不能有虚脱现象；3、硬度：≥2H（中华铅笔）45度角施2KG力或者用指甲施加一定力度刮不能脱皮，更直接检验方法用美工刀刮不能脱落；
波长越短、强度越高的光线，对石英玻璃管的质量要求越高；目前市面上普通的石英玻璃管对172nm准分子紫外光的透过率非常低，很大程度上会影响准分灯的出光效果。
172nm准分子灯是我司目前主要研发的产品之一，为控制产品成本，严格把关产品质量，在172nm准分灯产品的研究上，需采购一批高质量的石英玻璃管。
以优化钴酸锂、单晶三元、锰酸锂的性能为主要研究内容，研发出适用于电子雾化器的锂离子电池正极材料。
类型一（钴酸锂体系）：半电池：电压3.0-4.55V，0.1C首圈容量≥198mAh/g；1C充放45℃循环容量保持率80%时，循环次数70周以上；全电池：电压3.0-4.45V，3C充、12C放电，45℃循环容量保持率80%时，循环次数700周以上、倍率放电性能12C/1C≥95%。类型二（钴酸锂体系）：全电池：电压3.0-4.35V，电池容量300-1500mAh，使用Ф2.5mm钢针以（25±5）mm/s的速垂直贯穿100%SOC电芯，不起火通过率100%。
类型三（钴酸锂体系）：全电池：电压3.0-4.4V，电池容量300-1000mAh，5C充电速率下，恒流时间/恒压时间≥60%；5C充电10C放电的条件下，80%容量保持率循环次数≥500周。
类型四（单晶三元体系）：全电池：电压3.0-4.35V，电池容量300-1500mAh；4C充电10C放电的条件下，90%容量保持率循环次数≥200周；高温存储60度7天膨胀率10%。
类型五（锰酸锂体系）：半电池：电压3.0-4.3V，0.1C首圈容量≥125mAh/g；1C充放45℃-100th循环容量保持率87%以上，常温循环容量保持率92%以上；倍率放电性能12C/1C≥95%；全电池：电压3.0-4.2V，1C/1C充放，45℃循环700周容量保持率80%以上，倍率放电性能容量比例10C/1C≥97%；压实密度≥3.0。
类型六（锰酸锂体系）：全电池：电压3.0-4.2V，满SOC存储1个月电压≥4.15V，容量剩余95%以上；满SOC存储6个月，电压≥4.05V，容量剩余90%以上。
因为贵金属（如金、银、铂、钯、铑等）的稳定性能，其材料及化合物是半导体生产制程中不可或缺的原料。国内起步晚，目前大部分市场都由国外厂家掌握。
氢能源是清洁能源，也是我国碳中和的重要途径，对于氢能燃料电池的关键材料，国内仍然不能自给自足。
随着电动汽车日益增加的续航里程对高能量密度动力电池的需求，重量能量密度在300Wh/kg以上的动力电池产品是未来的必然方。
